WTi
Renhed
Renhed er en af målmaterialets vigtigste præstationsindikatorer, fordi målmaterialets renhed har stor indflydelse på filmens ydeevne. Men i praktiske anvendelser er renhedskravene til målmaterialer også forskellige. For eksempel, med den hurtige udvikling af mikroelektronikindustrien er størrelsen af siliciumwafere vokset fra 6", 8" til 12", mens ledningsbredden er blevet reduceret fra 0.5um til 0 .25um, 0.18um eller endda 0.13um. Den tidligere målrenhed var 99,995 %. Det kan opfylde proceskravene for 0.35umIC, men den målrenhed, der kræves for at forberede {. {15}}.18um linjer er 99,999 % eller endda 99,9999 %.
Tungsten Sputtering Target Leverandør
Urenhedsindhold
Urenheder i målfaststoffet og oxygen og vanddamp i porerne er de vigtigste kilder til forurening for aflejrede film. Målmaterialer til forskellige anvendelser har også forskellige krav til forskellige urenhedsindhold. For eksempel stiller rene aluminium- og aluminiumslegeringsmål, der anvendes i halvlederindustrien, særlige krav til indhold af alkalimetal og indhold af radioaktive grundstoffer.
Massefylde
For at reducere porerne i det faste målmateriale og forbedre ydeevnen af den sputterede film kræves det sædvanligvis, at målmaterialet har en højere densitet. Densiteten af målet påvirker ikke kun sputteringshastigheden, men påvirker også filmens elektriske og optiske egenskaber. Jo højere måltæthed, jo bedre ydeevne har filmen. Derudover gør en forøgelse af tætheden og styrken af målmaterialet det muligt for målmaterialet bedre at modstå den termiske belastning under sputteringsprocessen. Densitet er også en af de vigtigste præstationsindikatorer for målmaterialer.
Fremstilling af Tungsten Sputtering Target
Kornstørrelse og kornstørrelsesfordeling
Normalt har målmaterialet en polykrystallinsk struktur, og kornstørrelsen kan variere fra mikron til millimeter. For det samme målmateriale er sputteringshastigheden for et mål med fine korn hurtigere end for et mål med grove korn; mens et mål med en mindre kornstørrelsesforskel (ensartet fordeling) vil have en mere ensartet tykkelsesfordeling af filmen aflejret ved sputtering.
